氣體純化廠家向您介紹氬氣純化知識(shí)！

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氬氣純化耗材選用高溫金屬合金吸氣劑，它的表面會(huì)和一些雜質(zhì)如氧，CH4等反應(yīng)。而且在高溫下（300-700度）這些雜質(zhì)會(huì)從表面擴(kuò)散到材料內(nèi)部從而保持表面和新的雜質(zhì)的反應(yīng)能力，工藝解決的困惑。延長(zhǎng)了設(shè)備耗材的使用年限，達(dá)到節(jié)能增收減耗的目的。

氬氣作為制作單晶及多晶硅的保護(hù)氣體，為了提高硅晶體的質(zhì)量，如何選用較高純度的氬氣，是制作硅晶體的一個(gè)議題。通過對(duì)本裝置的使用，氬氣的純度其中氧含量小于1ppm時(shí)，水分也小于1ppm時(shí)，制作出的單晶硅其氧碳含量就小于0.5ppm，這樣就提高了單晶的使用壽命并能達(dá)到要求，贏得客戶的滿意和市場(chǎng)的需求。

由于一般液氬汽化后未經(jīng)過純化處理，它的氧含量一般在2ppm~5ppm。有時(shí)氣體供應(yīng)商提供的氬氣超過了此范圍，使用氬氣的客戶不知道其質(zhì)量，所以往往給生產(chǎn)產(chǎn)品質(zhì)量造成影響。有了氬氣純化裝置后不論氬原料氣的質(zhì)量如何，只要經(jīng)過純化裝置的處理后，進(jìn)入拉晶爐的氬氣，純度始終是恒定的。

一般氧含量小于0.5ppm，水分小于1ppm，這樣穩(wěn)定的氬氣對(duì)生產(chǎn)晶體的質(zhì)量是有保證的。

直接脫氧法。就是使用活性金屬與氬氣中的氧氣進(jìn)行反應(yīng)，消化掉氬氣中的氧氣，從而達(dá)到脫氧的目的，經(jīng)過分子篩吸收掉氬氣中的水份，使氬氣的含水量小于1ppm。

是采用吸氣劑。在一定溫度下，吸氣劑可吸收氮、氫、氧、一氧化碳、二氧化碳、甲烷等氣體經(jīng)吸收處理后，氬氣的純度可達(dá)到6個(gè)九，這種保護(hù)氣體更適用于制作高純度的半導(dǎo)體的單晶硅。

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