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半導體工藝氣體純化新科技
半導體器件變得越來越小，幾何結構越來越復雜，使用的材料越來越多，給工藝氣體的純度帶來了更大的挑戰(zhàn)。
更多的工藝步驟意味著消耗更多的工藝氣體?，F(xiàn)在，即使氣體供應中有微量污染物，也會對芯片性能產生不可忽略的影響。因此，工藝氣體凈化顯的日益重要。
氣體和化學品的純度在先進半導體和存儲設備的性能和可靠性方面發(fā)揮著重要作用。為了保持競爭力，許多半導體制造商提高了產量，從而增加了氣體的總消耗量。因此，對污染物采取必要的凈化措施勢在必行。
工作流程；原料氫氣經流量計進入管道與原料氮氣一起進入除氧器中，在鈀催化劑中充分化合，生成水汽被大量氮氣帶離除氧器經冷卻器逐步冷卻，再由冷干機降至常溫后進入干燥塔，氮氣中水分都被5A分子篩物理吸附而除去，純化后氮氣經氮氣出口閥去用戶工藝點。
再生流程，部分純氮去單向閥前由手動閥門被導向另一處于再生狀態(tài)的干燥塔，此時，再生干燥塔內溫度升至350℃，在此溫度下，被5A分子篩吸入的水分獲得大量能量，迅速從分子篩中逸出，被導入塔內的高純氮帶離分子篩，經放空閥排出，由于程控器的控制作用，再生干燥塔繼續(xù)通入純氮（此時加熱棒停止加熱）使之冷卻至常溫，以便切換時即可進入工作狀態(tài)。
一塔可連續(xù)工作24小時，另一塔再生加熱10小時，強迫吹冷14小時，當冷卻到常溫時，手動切換二個干燥器塔，使之連續(xù)工作(干燥塔基本采用氣動閥自動轉換)。
管道上有取樣閥，可連接微氧儀和微水儀進行檢測。
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